ফটোভোলটাইক মডিউলগুলি ফটোভোলটাইক পাওয়ার জেনারেশনের সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ সরঞ্জাম। দৈনিক ইনস্টলেশন এবং অপারেশন এবং রক্ষণাবেক্ষণ প্রক্রিয়ার বিশেষ পরিস্থিতিতে ফটোভোলটাইক মডিউলগুলির হট স্পট প্রভাব এবং সম্ভাব্য প্ররোচিত অ্যাটেন্যুয়েশন (পিআইডি) ঘটাবে, যা বেশিরভাগ মালিকদের ক্ষতির কারণ হবে, তাই আমাদের এগুলি এড়াতে ফটোভোলটাইক পাওয়ার প্ল্যান্ট নিয়ন্ত্রণে মনোযোগ দেওয়া উচিত। বিদ্যুৎ কেন্দ্রের ইনস্টলেশন এবং দৈনিক রক্ষণাবেক্ষণের সময় দুটি প্রভাব।
1. হট স্পট প্রভাব
একটি সিরিজ শাখায় একটি ছায়াযুক্ত সৌর কোষ মডিউল অন্যান্য আলোকিত সৌর কোষ মডিউল দ্বারা উত্পাদিত শক্তি ব্যবহার করার জন্য একটি লোড হিসাবে ব্যবহার করা হবে এবং ছায়াযুক্ত সৌর কোষ মডিউল এই সময়ে তাপ উৎপন্ন করবে, যা হট স্পট প্রভাব।
এই প্রভাব সৌর কোষকে মারাত্মকভাবে ক্ষতিগ্রস্ত করতে পারে। আলোকিত সৌর কোষ দ্বারা উত্পাদিত শক্তির একটি অংশ ছায়াযুক্ত কোষ দ্বারা গ্রাস করা যেতে পারে। হট স্পট প্রভাব শুধুমাত্র পাখি ড্রপিং একটি টুকরা হতে পারে.
হট স্পট প্রভাবের কারণে সৌর কোষকে ক্ষতিগ্রস্ত হওয়া থেকে রক্ষা করার জন্য, সৌর কোষ মডিউলের ধনাত্মক এবং নেতিবাচক মেরুগুলির মধ্যে সমান্তরালভাবে একটি বাইপাস ডায়োড সংযোগ করা ভাল যাতে আলো মডিউল দ্বারা উত্পন্ন শক্তিকে গ্রাস করা থেকে বিরত রাখা যায়। ছায়াযুক্ত মডিউল দ্বারা। হট স্পট প্রভাব গুরুতর হলে, বাইপাস ডায়োড ভেঙে যেতে পারে, যার ফলে উপাদানটি পুড়ে যায়।
2. পিআইডি প্রভাব
সম্ভাব্য-প্ররোচিত অ্যাটেন্যুয়েশন প্রভাব হল যে ব্যাটারির উপাদানগুলি দীর্ঘ সময়ের জন্য উচ্চ ভোল্টেজের সংস্পর্শে থাকে, যার ফলে গ্লাস এবং এনক্যাপসুলেশন উপাদানের মধ্যে ফুটো কারেন্ট হয় এবং ব্যাটারির পৃষ্ঠে প্রচুর পরিমাণে চার্জ আক্রমণ করা হয়, যা ব্যাটারির অবনতি ঘটায়। ব্যাটারি পৃষ্ঠের নিষ্ক্রিয়তা প্রভাব এবং উপাদান কর্মক্ষমতা নকশা মান তুলনায় কম হতে কারণ. যখন পিআইডি ঘটনাটি গুরুতর হয়, তখন একটি মডিউলের শক্তি 50 শতাংশের বেশি হ্রাস পাবে, যার ফলে পুরো স্ট্রিংয়ের পাওয়ার আউটপুটকে প্রভাবিত করবে। উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ আর্দ্রতা এবং উচ্চ লবণাক্ততা সহ উপকূলীয় অঞ্চলে পিআইডি ঘটনাটি সবচেয়ে বেশি ঘটতে পারে।
পিআইডি প্রভাব তৈরি হওয়ার পরে, কিছু ব্যাটারির উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা থাকে এবং পিআইডি ঘটনার মূল কারণগুলি নিম্নরূপ:
সিস্টেম ডিজাইনের একটি কারণ হল: ফটোভোলটাইক পাওয়ার স্টেশনের বজ্র সুরক্ষা গ্রাউন্ডিং বর্গাকার অ্যারের প্রান্তে মডিউল ফ্রেমটিকে গ্রাউন্ড করার মাধ্যমে উপলব্ধি করা হয়, যা একটি একক মডিউল এবং ফ্রেমের মধ্যে একটি পক্ষপাত ভোল্টেজ সৃষ্টি করে। মডিউলের বায়াস ভোল্টেজ যত বেশি হবে, পিআইডি ঘটনা ঘটবে। আরও গুরুতর। পি-টাইপ স্ফটিক সিলিকন উপাদানগুলির জন্য, কোষের সাপেক্ষে উপাদান ফ্রেমের ইতিবাচক পক্ষপাত দূর করতে একটি ট্রান্সফরমার দিয়ে বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল করার নেতিবাচক মেরুকে গ্রাউন্ড করা কার্যকরভাবে পিআইডি ঘটনাকে প্রতিরোধ করবে, কিন্তু বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল করার নেতিবাচক গ্রাউন্ডিং বৃদ্ধি পাবে। সংশ্লিষ্ট সিস্টেম নির্মাণ খরচ;
দ্বিতীয় কারণ হল ফটোভোলটাইক মডিউল: বাহ্যিক পরিবেশে উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ আর্দ্রতার কারণে সোলার সেল এবং গ্রাউন্ড ফ্রেমের মধ্যে কারেন্ট লিকেজ হয় এবং প্যাকেজিং ম্যাটেরিয়াল, ব্যাকপ্লেন, গ্লাস এবং ফ্রেমের মধ্যে একটি লিকেজ কারেন্ট চ্যানেল তৈরি হয়। ইভা-এর অন্তরক ফিল্ম পরিবর্তন করা মডিউলের অ্যান্টি-পিআইডি উপলব্ধি করার অন্যতম উপায়। বিভিন্ন ইভা এনক্যাপসুলেটিং ফিল্ম ব্যবহার করার শর্তে, মডিউলটির অ্যান্টি-পিআইডি কর্মক্ষমতা ভিন্ন হবে। উপরন্তু, ফোটোভোলটাইক মডিউলের গ্লাস প্রধানত চুন-সোডিয়াম গ্লাস, এবং ফটোভোলটাইক মডিউলের পিআইডি ঘটনার উপর কাচের প্রভাব এখনও অস্পষ্ট;
তৃতীয়টি হল কোষের কারণ: সেল শীট প্রতিরোধের অভিন্নতা, অ্যান্টি-রিফ্লেকশন লেয়ারের পুরুত্ব এবং প্রতিসরণ সূচক পিআইডি কর্মক্ষমতার উপর বিভিন্ন প্রভাব ফেলে। উপরের তিনটি দিকগুলির মধ্যে যেগুলি পিআইডি ঘটনাটি ঘটায়, মডিউল পিআইডি ঘটনাটি মডিউল ফ্রেম এবং ফটোভোলটাইক সিস্টেমের মডিউলের মধ্যে সম্ভাব্য পার্থক্য দ্বারা সৃষ্ট শিল্প দ্বারা স্বীকৃত, তবে মডিউলটির জন্য পিআইডি ঘটনাটি তৈরি করার প্রক্রিয়া মডিউল এবং কোষের দুটি দিক এখনও স্পষ্ট নয় যে উপাদানগুলির অ্যান্টি-পিআইডি কর্মক্ষমতা আরও উন্নত করার জন্য সংশ্লিষ্ট ব্যবস্থাগুলি এখনও অস্পষ্ট।
